г. Санкт-Петербург, ул. Яблочкова,
д. 20, литер А, оф. 504

contact@innek.ru

+7 (812) 200-40-37 Получить консультацию
0
Корзина

Дискретный полупроводниковый модуль FF3MR12KM1HOSA1

Тип SiC Power Module Прямое напряжение 4,6 В
Напряжение затвор-исток - 10 В, 20 В Тип корпуса Module
Диапазон рабочих температур -40 С … +150 С
Производитель:

Загрузить

Рекомендуемые товары
Выпрямительный диод RB717UMTL
Выпрямительный диод RB717UMTL

Диоды и выпрямители

Узнать цену
Подробнее
Выпрямительный диод SBR10U45SP5Q-13
Выпрямительный диод SBR10U45SP5Q-13

Диоды и выпрямители

Узнать цену
Подробнее
Выпрямительный диод SDM02L30CP3-7
Выпрямительный диод SDM02L30CP3-7

Диоды и выпрямители

Узнать цену
Подробнее
Дискретный полупроводниковый модуль F3L15MR12W2M1B69BOMA1
Дискретный полупроводниковый модуль F3L15MR12W2M1B69BOMA1

Дискретные полупроводниковые модули

Узнать цену
Подробнее
Дискретный полупроводниковый модуль F423MR12W1M1B11BOMA1
Дискретный полупроводниковый модуль F423MR12W1M1B11BOMA1

Дискретные полупроводниковые модули

Узнать цену
Подробнее
Контакты
г. Санкт-Петербург, ул. Яблочкова
д. 20, литер А, оф. 504
contact@innek.ru