г. Санкт-Петербург, ул. Яблочкова,
д. 20, литер А, оф. 504

contact@innek.ru

+7 (812) 200-40-37 Получить консультацию
0
Корзина

Дискретный полупроводниковый модуль DF23MR12W1M1B11BPSA1

Тип SiC Power MOSFET Прямое напряжение 4.6 В
Обратное напряжение 1200 В Напряжение затвор-исток - 10 В, 20 В
Тип корпуса AG-EASY1BM-2 Диапазон рабочих температур -40 С … +150 С
Производитель:

Загрузить

Рекомендуемые товары
Выпрямительный диод PD3S230LQ-7
Выпрямительный диод PD3S230LQ-7

Диоды и выпрямители

Узнать цену
Подробнее
Выпрямительный диод RB717UMTL
Выпрямительный диод RB717UMTL

Диоды и выпрямители

Узнать цену
Подробнее
Выпрямительный диод SBR10U45SP5Q-13
Выпрямительный диод SBR10U45SP5Q-13

Диоды и выпрямители

Узнать цену
Подробнее
Выпрямительный диод SDM02L30CP3-7
Выпрямительный диод SDM02L30CP3-7

Диоды и выпрямители

Узнать цену
Подробнее
Дискретный полупроводниковый модуль CAB425M12XM3
Дискретный полупроводниковый модуль CAB425M12XM3

Дискретные полупроводниковые модули

Узнать цену
Подробнее
Контакты
г. Санкт-Петербург, ул. Яблочкова
д. 20, литер А, оф. 504
contact@innek.ru